参数资料
| 型号： | IXI858S1T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG/GATE DRIVER 5V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 转换器，基于微型控制器的离线应用 |
| 输入电压： | 8.2 V ~ 17 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 5V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXYS
IXI858 / IXI859
Gate Driver with VReg and Charge Pump Regulator
Features:
? Logic Level Gate Drive Compatible
? 60mA Source / 120mA Sink Minimum
Gate Drive
? 5.0V or 3.3V Voltage Regulator
? Charge Pump Regulator Stabilizes V CC
Power Supply at 13V
General Description
The IXI858 and IXI859 combine a power MOSFET
driver, linear voltage regulator, and charge pump
regulator for power supply generation in a single
SOIC-8 package. The IXI858 features a 5.0V linear
voltage regulator, and the IXI859 a 3.3V linear
voltage regulator. These three power functions
combined on the IXI858/859 target micro-controller
based off-line applications.
? UVLO Protection
The IXI858 and IXI859 are designed to operate over
Applications:
? μController based off-line applications
? Power Supply and Power Management
a temperature range of -25°C to +125°C, and are
available in an 8 lead SOIC package.
? Lighting Control
ORDERING INFORMATION
Part No. Description
Pack Quantity
IXI858S1
IXI858S1T/R
IXI859S1
IXI859S1T/R
5.0V Version
3.3V Version
100 (Tube)
2500 (Tape & Reel)
100 (Tube)
2500 (Tape & Reel)
VCC
Functional Block Diagram
VCAP
SOIC-8 Lead Configuration
1
2
VOUT
4
Vreg
Vclamp
UVLO
+
-
ChrgPReg
13V
8
VSUP
7
GND
6
VCC
VOUT
N/C
IN
1
2
3
4
8 - Lead SOIC
8
7
6
5
VCAP
VSUP
GND
GATE
IN
75k
GATE
5
Copyright ? IXYS CORPORATION 2005
1
4/29/05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1210-393J | INDUCTOR FERRITE CORE 39UH SMD |
| 250VXG560MEFCSN25X40 | CAP ALUM 560UF 250V 20% SNAP-IN |
| RSM18DTMT | CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD |
| NE57810S/N1,518 | IC DDR TERMINATION SPAK-5 |
| 315USC390MEFCSN30X30 | CAP ALUM 390UF 315V 20% SNAP-IN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXI859S1 | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXI859S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.12 Amps 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXJ611P1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXJ611S1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE GATE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IXJ611S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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