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参数资料
| 型号： | IXKN40N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXKN 40N60C
CoolMOS ? 1) Power MOSFET
V DSS
600 V
I D25
40 A
R DS(on)
70 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Low R DSon , High V DSS MOSFET
D
miniBLOC, SOT-227 B
E72873
G
S
G
Preliminary data
S
S
S
D
G = Gate
D = Drain
S = Source
Either source terminal at miniBLOC can be used
as main or kelvin source
MOSFET
Features
? miniBLOC package
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
- Electrically isolated copper base
- Low coupling capacitance to the heatsink for
V DSS
V GS
I D25
I D90
dv/dt
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
T C = 90°C
V DS < V DSS ; I F ≤ 47 A; ? di F /dt ?≤ 100 A/μs
600
±20
40
27
6
V
V
A
A
V/ns
reduced EMI
- International standard package SOT-227
- Easy screw assembly
? fast CoolMOS ? 1) power MOSFET
3 rd generation
- High blocking capability
- Low on resistance
- Avalanche rated for unclamped
T VJ = 150°C
inductive switching (UIS)
E AS
E AR
I D = 10 A; L = 36 mH; T C = 25°C
I D = 20 A; L = 5 μH; T C = 25°C
1.8
1
J
mJ
- Low thermal resistance
due to reduced chip thickness
? Enhanced total power density
Applications
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
?
?
?
?
Switched mode power supplies (SMPS)
Uninterruptible power supplies (UPS)
Power factor correction (PFC)
Welding
R DSon
V GS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
60
70 m Ω
?
Inductive heating
V GSth
V DS = 20 V; I D = 2.5 mA;
2.1
3.9
V
1)
CoolMOS ? is a trademark of
Infineon Technologies AG.
I DSS
V DS = V DSS ; V GS = 0 V; T VJ = 25°C
25 μA
T VJ = 125°C
50
μA
I GSS
V GS = ±20 V; V DS = 0 V
100 nA
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V; V DS = 350 V; I D = 50 A
V GS = 10 V; V DS = 380 V;
I D = 50 A; R G = 1.8 Ω
250
25
120
20
30
110
10
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V F
(reverse conduction) I F = 20 A; V GS = 0 V
0.9
1.1
V
R thJC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
0.43 K/W
20080523a
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKN45N80C | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
| IXKP10N60C5 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
| IXKP13N60C5M | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKN45N80C | 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN75N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN75N60C | 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP10N60C5 | 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP10N60C5M | 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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