参数资料
型号: IXS839S1
厂商: IXYS
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 8SOIC
标准包装: 98
配置: 高端和低端,同步
输入类型: 非反相
延迟时间: 35ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 24V
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
IXYS
Typical Performance Characteristics
50
IXS839 / IXS839A / IXS839B
50
40
30
20
Tpd_hgd2
Tpd_hgd1
40
30
20
Tpd_lgd1
10
0
Vdd=5V
Cl=3nF
10
0
Tpd_lgd2
Vdd=5V
Cl=3nF
-40
-15
10
35
60
85
-40
-15
10
35
60
85
Ta (°C)
Fig 13. HGD Propagation Delay vs. Temperature
120
90
60
Ta (°C)
Fig 14. LGD Propagation Delay vs. Temperature
20
15
10
30
0
Ta=25C
Vdd=5V
Cl=3nF
5
0
Vdd=5V
250kHz
Cl=3nF
0
500
1000
1500
2000
-40
-15
10
35
60
85
Frequency (kHz)
Fig 15. Supply Current vs. Frequency
8
Ta (°C)
Fig 16. Supply Current vs. Temperature
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PDF描述
346-072-520-204 CARDEDGE 72POS DUAL .125 GREEN
591D108X96R3R2T20H CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 2824
HBC06DRYI-S13 CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND
EBA10DTBS CONN EDGECARD 20POS R/A .125 SLD
RJZ-0905S CONV DC/DC 2W 09VIN 05VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
IXS839S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXSA10N60B2D1 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSA12N60AU1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA
IXSA15N120B 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSA16N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability