参数资料
型号: IXTA110N055P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
标准包装: 50
系列: PolarHT™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13.5 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25V
功率 - 最大: 390W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 管件
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
Fig. 13. M axim um Trans ie nt The rm al Re s is tance
1.00
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
PDF描述
IXFQ10N80P MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
56BDP30-01PAJN ROTARY SWITCH 1 POLE 12POS ADJ
DC12.3232.101 DC12 POWER ENTRY MODUL 4A M5
AT-6.000MAGB-T CRYSTAL 6.000 MHZ 8.5PF SMD
DC12.3232.001 DC12 POWER ENTRY MODUL 4A M5
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTA110N055T 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA110N055T2 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA110N055T7 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA120N04T2 功能描述:MOSFET 120 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA120N075T2 功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube