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参数资料
| 型号： | IXTA130N10T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7 |
| 产品目录绘图： | TO-263-7 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA130N10T7
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-263 (7-lead) (IXTA..7) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 20V, I D = 25A
R G = 5 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25
55
93
5080
635
95
30
47
44
28
104
30
29
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42 ° C/W
Pins: 1 - Gate
2, 3 - Source
4 - Drain
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
5,6,7 - Source
Tab (8) - Drain
I S
I SM
V SD
t rr
I RM
Q RM
V GS = 0V
Repetitive, Pulse width limited by T JM
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
I F = 25A, V GS = 0V
-di/dt = 100A/ μ s
V R = 50V
67
4.7
160
130
350
1.0
A
A
V
ns
A
nC
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
2. On through-hole packages, R DS(on) Kelvin test contact
location must be 5mm or less from the package body
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA152N085T7 | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 |
| IXTA152N085T | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263 |
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| IXTA160N075T7 | MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA130N10T-TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 130A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMV™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTA140P05T | 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA14N60P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA152N085T | 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA152N085T7 | 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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