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参数资料
| 型号： | IXTA180N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTA180N10T
IXTP180N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 180A
≤ 6.4m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
Maximum Ratings
100
100
± 30
V
V
V
G
S
TO-220 (IXTP)
(TAB)
D
I D25
I LRMS
I DM
I AR
E AS
P D
T C = 25 ° C
Lead Current limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
180
75
450
25
750
480
A
A
A
A
mJ
W
G
G = Gate
S = Source
S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
Features
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
300
260
1.13/10
2.5
3.0
° C
° C
Nm/lb.in
g
g
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 150 ° C
100
2.5
V
4.5 V
± 100 nA
5 μ A
100 μ A
Automotive
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 25A, Notes 1, 2
5.7
6.4 m Ω
Systems
Distributed Power Architechtures
and VRMs
Electronic Valve Train Systems
High Current Switching Applications
High Voltage Synchronous Recifier
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99651A(3/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA182N055T7 | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 |
| IXTA182N055T | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263 |
| IXTA1R4N100P | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 |
| IXTA1R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 |
| IXTA1R6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA180N10T7 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA182N055T | 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA182N055T7 | 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA18P10T | 功能描述:MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA1N100 | 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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