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参数资料
| 型号： | IXTA1N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 54W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA 1N100
IXTP 1N100
1.8
1.6
1.4
Fig. 7. Input Adm ittance
2.5
2.0
Fig. 8. Transconductance
1.2
1.0
1.5
T J = -40oC
25oC
125oC
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T J = 125oC
25oC
-40oC
1.0
0.5
0.0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
4.0
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
3.5
3.0
2.5
2.0
9
8
7
6
5
V DS = 500V
I D = 1A
I G = 1mA
1.5
1.0
0.5
0.0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6 0.7
V S D - Volts
0.8
0.9
0
2
4
6 8 10
Q G - nanoCoulombs
12
14
16
1000
100
10
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
10.0
1.0
0.1
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al
Resistance
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XMLHVW-Q0-0000-0000LT2F5 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| 352P2P4 | CABLE R/A MALE-STR MALE 2POS 4M |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LS6F6 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LT451 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| 364P4P1 | CABLE R/A MALE-R/A MALE 4POS 1M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA1N100TRL | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述: |
| IXTA1N120P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA1N80 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA1R4N100P | 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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