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参数资料
| 型号： | IXTA1N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 331pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA1N100P IXTP1N100P
IXTY1N100P
1.0
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
1.8
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
0.9
0.8
0.7
V GS = 10V
7V
6V
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
8V
7V
0.6
1.0
0.5
0.4
0.8
6V
0.3
0.2
5V
0.6
0.4
0.1
0.0
0.2
0.0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
1.0
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 0.5A Value
vs. Junction Temperature
0.9
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
2.6
0.8
2.4
0.7
0.6
6V
2.2
2.0
0.5
0.4
1.8
1.6
1.4
I D = 1.0A
I D = 0.5A
0.3
0.2
0.1
0.0
5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 0.5A Value
vs. Drain Current
1.1
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXTA1R4N100PTRL | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述: |
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