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参数资料
| 型号： | IXTA200N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTA 200N085T
IXTP 200N085T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 85 V
= 200 A
≤ 5.0 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-263 (IXTA)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
85
85
V
V
V GSM
Transient
± 20
V
G
S
I D25
I LRMS
I DM
I AR
E AS
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
200
75
540
25
1.0
A
A
A
A
J
TO-220 (IXTP)
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 175 ° C, R G = 5 ?
3
V/ns
G
D
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
480
W
G = Gate
D = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
S = Source TAB = Drain
Features
Ultra-low On Resistance
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
300
260
° C
° C
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
M d
Mounting torque (TO-220)
1.13 / 10 Nm/lb.in.
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Weight
TO-220
TO-263
3
2.5
g
g
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
Automotive
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V T J = 150 ° C
V GS = 10 V, I D = 25 A, Notes 1, 2
85
2.0
4.2
4.0
± 200
5
250
5.0
V
V
nA
μ A
μ A
m ?
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
High Current Switching
Applications
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
DS99643 (11/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA-200N085T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
| IXTA200N085T7 | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA220N04T2 | 功能描述:MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA220N04T2-7 | 功能描述:MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA220N055T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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