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参数资料
| 型号： | IXTA3N120TRL |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IXTA3N120DKR |
High Voltage
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXTA 3N120
IXTP 3N120
V DSS
1200 V
I D25
3A
R DS(on)
4.5 ?
Avalanche Rated, High dv/dt
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
1200
1200
± 20
V
V
V
TO-220 (IXTP)
D (TAB)
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
3
12
3
20
V
A
A
A
mJ
G
TO-263 (IXTA)
DS
E AS
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
700
5
mJ
V/ns
G
S
D (TAB)
P D
T C = 25 ° C
200
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
-55 to +150
° C
T JM
T stg
150
-55 to +150
° C
° C
Features
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
International standard packages
M d
Mounting torque (TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
Weight
TO-220
TO-263
4
2
g
g
Switching (UIS)
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Advantages
Easy to mount
Space savings
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
1200
2.0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
5.0
± 100
25
1
4.5
V
V
nA
μ A
mA
?
High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98844E(02/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP220N055T | MOSFET N-CH 55V 220A TO-220 |
| IXTP200N075T | MOSFET N-CH 75V 200A TO-220 |
| IXTP180N085T | MOSFET N-CH 85V 180A TO-220 |
| IXFP14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 |
| IXFP16N50P | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA3N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA44N15T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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