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参数资料
| 型号： | IXTA70N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 70A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2570pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTA70N085T
IXTP70N085T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 85 V
= 70 A
≤ 13.5 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-263 (IXTA)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
85
85
V
V
V GSM
Transient
± 20
V
G
S
I D25
I DM
I AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
70
190
25
500
3
A
A
A
mJ
V/ns
TO-220 (IXTP)
(TAB)
P D
T J ≤ 175 ° C, R G = 10 Ω
T C = 25 ° C
176
W
G
D
S
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
M d
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
300 ° C
260 ° C
1.13 / 10 Nm/lb.in.
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
Weight
TO-220
TO-263
3
2.5
g
g
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
Automotive
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 50 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V T J = 150 ° C
V GS = 10 V, I D = 25 A, Notes 1, 2
85
2.0
10.5
4.0
± 100
1
100
13.5
V
V
nA
μ A
μ A
m Ω
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
High Current Switching
Applications
DS99639 (11/06)
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5516A | DMM TEST PROBE/AMPROBE PLUG SET |
| 0.75 X 1.50 X 0.25 | SHIELD RF STD .75 X 1.5 X .25" |
| 5403-36-0 | RETR SHEATH BANANA CORD 36" BLK |
| IRL3715ZSPBF | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| UPG2010TB-A | IC SWITCH SPDT 6-SMINI |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA74N15T | 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA75N10P | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA76N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA76N25T | 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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