- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18782 > IXTA7N60P (IXYS)MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTA7N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA 7N60P
IXTP 7N60P
9
Fig. 7. Input Adm ittance
12
Fig. 8. Trans conductance
8
7
6
5
4
3
2
1
0
T J =125 o C
25 o C
-40 o C
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
18
16
14
12
10
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 3.5A
I G = 10m A
8
6
4
2
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
1000
100
10
1
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C iss
C oss
C rs s
1.00
0.10
Fig. 12. M axim um Tr ans ie nt The rm al
Re s is tance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.001
0.01
0.1
1
10
V D S - V olts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_7N60P (37) 03-21-06B.XLS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MICRF213AYQS | IC RX 3.3V 300-350 MHZ 16-QSOP |
| MICRF211AYQS | IC RX 3V 380-450 MHZ 16-QSOP |
| MICRF219AAYQS | IC RECEIVER QWIKRADIO 16QSOP |
| MICRF219AYQS | IC RECEIVER QWIKRADIO 16-QSOP |
| MICRF220AYQS | RCVR ASK/OOK 300-450MHZ 16QSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA80N10T | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA80N10T7 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA80N12T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA86N20T | 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA88N085T | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。