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参数资料
| 型号： | IXTA8N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
8
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
16
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
7
6
5
4
3
2
1
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
8
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
7
6
5
4
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
I D = 8A
1.6
3
2
1.3
1
I D = 4A
1
0
5V
0.7
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
9
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
T J = 125 o C
8
7
6
5
2
1.8
1.6
4
3
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FAR-D6NH-1G9600-M1Z6-Z | DUPLEXER SAW 1.96GHZ W-CDMA II |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA8PN50P | 功能描述:MOSFET 8.0 Amps 500 V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N055T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N055T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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