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参数资料
| 型号： | IXTC13N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
Power MOSFET
ISOPLUS220 TM
IXTC 13N50
V DSS
I D25
= 500 V
= 12 A
Electrically Isolated Back Surface
N-Channel Enhancement Mode
R DS(on) = 0.4 ?
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
Preliminary Data Sheet
ISOPLUS220 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
V
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
± 20
± 30
V
V
V
G
D
S
Isolated back surface*
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
12
48
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I AR
E AR
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
13
18
5
140
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
3
A
mJ
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
g
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<35pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
DC choppers
AC motor control
Advantages
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 2.5 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 1, 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
500
2
4
± 100
200
1
0.4
V
V
nA
μ A
mA
?
Easy assembly: no screws or isolation
foils required
Space savings
High power density
Low collector capacitance to ground
(low EMI)
See IXFH13N50 data sheet for
characteristic curves
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98823B(07/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC160N10T | MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 |
| IXTC180N085T | MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 |
| IXTC200N10T | MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 |
| IXTC220N055T | MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 |
| IXTC220N075T | MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC160N10T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC180N085T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC180N10T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id100 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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