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参数资料
| 型号： | IXTC160N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 132nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC160N10T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
140
120
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
275
250
225
200
175
150
V GS = 10V
9V
8V
7V
60
40
6V
125
100
75
20
0
5V
50
25
0
6V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
160
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 160A Value
vs. Junction Temperature
140
V GS = 10V
8V
2.6
V GS = 10V
2.4
120
2.2
100
80
7V
2
1.8
I D = 160A
I D = 80A
60
40
6V
1.6
1.4
1.2
1
20
0
5V
0.8
0.6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Volts
T J - Degrees Centigrade
3.2
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Drain Current
90
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3
V GS = 10V
80
External Lead Current Limit
2.8
2.6
2.4
2.2
15V - - - -
T J = 175oC
70
60
50
2
1.8
1.6
1.4
40
30
1.2
1
0.8
0.6
T J = 25oC
20
10
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC180N085T | MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTC180N10T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id100 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC200N085T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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