- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18168 > IXTH1N100 (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTH1N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 1N100
IXTT 1N100
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 20 V; I D = 1.0A, pulse test
0.8
1.5
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
480
45
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
15
18
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 1A
19
ns
t d(off)
R G
= 18 ?, (External)
20
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
18
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
23
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 1A
4.5
14
nC
nC
2.2 2.54
2.2 2.6
b 1.0 1.4
.087 .102
.059 .098
.040 .055
b 1
1.65 2.13
.065 .084
R thJC
2.3
K/W
b 2
2.87 3.12
.113 .123
R thCK
TO-247
0.25
K/W
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50
?P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I S
V GS = 0 V
1.5
A
I SM
V SD
t rr
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
710
6
1.8
A
V
ns
TO-268 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
Max.
A
4.9 5.1
A 1
2.7 2.9
A 2
.02 .25
b
1.15 1.45
b 2
1.9 2.1
C
.4 .65
D
13.80 14.00
E
15.85 16.05
13.3 13.6
E 1
e
5.45 BSC
H
18.70 19.10
L
2.40 2.70
L1
1.20 1.40
L2
1.00 1.15
L3
0.25 BSC
L4
3.80 4.10
Inches
Min.
Max.
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DF12.0979.7310.1 | MOD PWR ENTRY 10A 250V M5 SCREW |
| B32524Q476K | FILM CAP 47UF 10% 63V |
| DF12.0861.7110.1 | MOD PWR ENTRY 10A 250V SCREW |
| 7M-12.288MAAJ-T | CRYSTAL 12.288 MHZ 18PF SMD |
| CM309S7.680MABJTR | CRYSTAL 7.6800 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH1N250 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。