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参数资料
| 型号： | IXTH20N50D |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 10A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 20N50D
IXTT 20N50D
Fig . 13. Fo r w ar d -Bias
Safe Op e r atin g A r e a
100
R D S(on) Lim it
25 μ s
100 μ s
10
1m s
T J = 150oC
1
10
T C = 25oC
100
DC
10m s
1000
V D S - V olts
Fig. 14. Maximum Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XREWHT-L1-0000-00C01 | LED COOL WHITE 7X9MM SMD |
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| XPEWHT-L1-R250-00B02 | LED COOL WHITE 700MA SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH20N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH20N55MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH20N55MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH20N60 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N60 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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