参数资料
型号: IXTH26N60P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
产品目录绘图: TO-247AD 3-Leads
标准包装: 30
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 26A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 270 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4150pF @ 25V
功率 - 最大: 460W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXTH26N60P IXTQ26N60P
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
IXTT26N60P
IXTV26N60P IXTV26N60PS
Fig. 10. Gate Charge
80
10
70
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 13A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10000
1000
100
10
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
Q G - nanoCoulombs
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V D S - Volts
Fig. 12. M axim um Trans ie nt The rm al Re s is tance
1.00
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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PDF描述
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