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参数资料
| 型号： | IXTH36N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 36N50P IXTQ 36N50P IXTT 36N50P
IXTV36N50P IXTV 36N50PS
100
Fig. 9. Source Cur r e nt vs .
Sour ce -To-Dr ain V oltage
10
Fig. 10. Gate Char ge
90
80
70
60
50
40
9
8
7
6
5
4
V DS = 250V
I D = 18A
I G = 10m A
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
C is s
1000
Fig. 12. For w ar d-Bias
Safe Ope r ating Are a
T J = 150oC
T C = 25oC
1000
C oss
100
R DS(on) Lim it
25μs
100μs
100
10
1m s
10
f = 1MH z
C rs s
1
DC
10m s
0
5
10
15 20 25
V D S - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B25620B1306K981 | PEC MKP DC 30 UF 1980 V |
| M2047B2B1W01 | SW TOGGLE DP3T BAT SOLDER LUG |
| S429T | SW TOGGLE DPDT 15A SCREW LUG |
| HC49US-20.000MABLB | CRYSTAL 20.000 MHZ 22PF HC49/US |
| M2023SS1W30-BA | SW TOGGLE DPDT THR BK CAP SILVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH36P10 | 功能描述:MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH36P15P | 功能描述:MOSFET PolarP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH39N08MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH39N08MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH39N10MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
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