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参数资料
| 型号： | IXTH50N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
High Current
Power MOSFET
IXTH 50N30
IXTT 50N30
V DSS
I D25
R DS(on)
= 300 V
= 50 A
= 65 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXTH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
300
300
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
50
200
50
50
V
V
A
A
A
mJ
TO-268 (IXTT)
(TAB)
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
1.5
5
J
V/ns
G
S
D (TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
400
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque (TO-247)
TO-247
TO-268
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
5 g
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
300
V
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.0
4.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
65
m ?
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99011A(08/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32524Q3225J | FILM CAP 2.2UF 5% 250V |
| FXO-LC535R-125.0155 | OSC 125.0155 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 5637ABX438 | SWITCH TOGGLE MINI |
| 425F39E020M0000 | CRYSTAL 20.0 MHZ 20PF SMD |
| B32523Q335J | FILM CAP 3.3UF 5% 63V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH50P085 | 功能描述:MOSFET -50 Amps - 500 V 0.055 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH50P10 | 功能描述:MOSFET -50 Amps -100V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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