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参数资料
| 型号： | IXTH96N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 96N20P IXTQ 96N20P
IXTT 96N20P
F ig . 1 3 . M a x im u m T r a n s ie n t T h e r m a l R e s is t a n c e
1.00
0.10
0.01
1
10
100
1000
Pu ls e W id th - m illis e c o n d s
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RES3R0 | RHEOSTAT 3.0 OHM 12.5W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTH98N20T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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