- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18154 > IXTH96N25T (IXYS)MOSFET N-CH 250V 96A TO-247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTH96N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 96A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH96N25T IXTQ96N25T
IXTV96N25T
24
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
R G = 2.5 Ω
24
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
22
V GS = 15V
22
20
V DS = 125V
20
T J = 25oC
18
I
D
= 96A
18
R G = 2.5 Ω
V GS = 15V
16
I
D
= 48A
16
V DS = 125V
14
12
10
14
12
10
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
24
26
34
72
22
20
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
I D = 48A, 96A
25
24
32
30
28
t f t d(off) - - - -
R G = 2.5 Ω , V GS = 15V
V DS = 125V
70
68
66
18
16
23
22
26
24
22
I D = 48A
64
62
60
14
21
20
I D = 96A
58
18
56
12
20
16
54
10
19
14
52
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
32
68
70
160
30
28
T J = 25oC
t f
R G = 2.5 Ω ,
V DS = 125V
t d(off) - - - -
V GS = 15V
66
64
60
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
140
50
120
26
62
24
T J = 125oC
60
40
I D = 48A, 96A
100
22
58
30
80
20
T J = 25oC
56
18
16
T J = 125oC
54
52
20
10
60
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_96N25T (7W) 08-10-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B127J37ZB22M | SWITCH ROCKER SPDT 0.5VA 28V |
| B126J77V7Q2 | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| B32537B3104K | FILM CAP 0.1UF 10% 250V |
| B32537B1684K | FILM CAP 0.68UF 10% 100V |
| B126J71V3B2 | SWITCH ROCKER SPDT 0.5VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH98N20T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH9N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH9N95 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR |
| IXTI10N60P | 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。