- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录462 > IXTJ36N20 (IXYS)MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTJ36N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 11/Oct/2011 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2970pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
HiPerFET TM
IXTJ 36N20 V DSS = 200
V
I D25
N-Channel Enhancement Mode
=
R DS(on) =
36 A
70 m ?
t rr < 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
200
V
G
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
200
± 20
V
V
D
S
é
(TAB)
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 30
36
V
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
144
36
19
A
A
mJ
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
? Low R
HDMOS
process
? Rugged polysilicon gate cell structure
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
M d
Weight
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
Mounting torque
5 V/ns
300 W
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
5 g
Features
? International standard package
JEDEC TO-247 AD
TM
DS (on)
? High commutating dv/dt rating
? Fast switching times
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
Applications
? Switch-mode and resonant-mode
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
200 V
power supplies
? Motor controls
? Uninterruptible Power Supplies (UPS)
? DC choppers
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2
4
V
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Advantages
I DSS
R DS(on)
V DS = 0.8 V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 18A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
25 μ A
250 μ A
70 m ?
? Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
? 2001 IXYS All rights reserved
98859 9/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXTK110N30 | MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 |
| IXTK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXTK120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| IXTK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTJ4N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTJ6N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK100N25P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK110N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。