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参数资料
| 型号： | IXTK102N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 102A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 224nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 102N30P
110
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
250
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
V DS - V olts
0
0.5
1
1.5 2
V DS - V olts
2.5
3
3.5
4
0
2
4
6
8 10 12
14
16
18
20
110
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
100
90
V GS = 10V
9V
8V
2.6
2.4
V GS = 10V
80
70
60
50
40
7V
6V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 102A
I D = 51A
30
20
1
0.8
10
0
5V
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.5 I D25 V alue vs . I D
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Te m pe rature
External Lead Current Limit
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I D - A mperes
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK110N30 | MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 |
| IXTK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXTK120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| IXTK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK110N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK110N30 | 功能描述:MOSFET 110 Amps 300V 0.026 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.020 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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