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参数资料
| 型号： | IXTK550N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 550A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 595nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
TrenchT2 TM GigaMOS TM
Power MOSFET
IXTK550N055T2
IXTX550N055T2
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
55V
550A
1.6m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-264 (IXTK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
55
55
V
V
G
D
S
Tab
V GSS
V GSM
I D25
I L(RMS)
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C (Chip Capability)
External Lead Current Limit
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
± 20
± 30
550
160
1375
V
V
A
A
A
PLUS247 (IXTX)
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
200
3
1250
A
J
W
G
D
S
Tab
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13/10
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
G = Gate D = Drain
S = Source Tab = Drain
Features
International Standard Packages
High Current Handling Capability
F C
Weight
Mounting Force
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
20..120 /4.5..27
10
6
N/lb.
g
g
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low R DS(on)
Advantages
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
55
V
Applications
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
2.0
4.0
± 200
V
nA
DC-DC Converters and Off-Line UPS
Primary-Side Switch
High Speed Power Switching
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
10 μ A
1 mA
Applications
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 100A, Notes 1 & 2
1.6 m Ω
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100217(11/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
| IXTK60N50L2 | MOSFET N-CH 60A 500V TO-264 |
| IXTK62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 |
| IXTK75N30 | MOSFET N-CH 300V 75A TO-264 |
| IXTK80N25 | MOSFET N-CH 250V 80A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK5N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A TO264 |
| IXTK600N04T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTK60N50L2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK74N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET |
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