参数资料
型号: IXTK90N25L2
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 90A 250V TO-264
标准包装: 25
系列: Linear L2™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫欧 @ 45A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 640nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 25V
功率 - 最大: 960W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXTK90N25L2
IXTX90N25L2
1,000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
1,000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
100
25μs
100μs
100
25μs
100μs
1ms
1ms
10
10ms
100ms
10
10ms
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
1
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
DC
100ms
10
100
1000
10
100
1000
V DS - Volts
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_90N25L2(9R)12-01-08
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PDF描述
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FAR-F6KA-1G7400-D4DE-Z FILTER SAW 1.74GHZ W-CDMA IV SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTK90P20P 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTL10P20 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXTL10P50 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXTL11P40 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254
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