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参数资料
| 型号： | IXTP08N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Depletion Mode
MOSFET
IXTY08N100D2
IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
V DSX
I D(on)
R DS(on)
=
>
≤
1000V
800mA
21 Ω
N-Channel
TO-252 (IXTY)
G
S
D (Tab)
Symbol
V DSX
V GSX
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Continuous
Transient
Maximum Ratings
1000
± 20
± 30
V
V
V
TO-263 AA (IXTA)
G
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-220)
60
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
300
260
1.13 / 10
W
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
S
TO-220AB (IXTP)
D (Tab)
Weight
TO-252
TO-263
TO-220
0.35
2.50
3.00
g
g
g
G
DS
D (Tab)
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
Features
? Normally ON Mode
? International Standard Packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? Molding Epoxies Meet UL 94 V-0
Flammability Classification
BV DSX
V GS = - 5V, I D = 25 μ A
1000
V
Advantages
V GS(off)
V DS = 25V, I D = 25 μ A
- 2.0
- 4.0
V
? Easy to Mount
I GSX
I DSX(off)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSX , V GS = - 5V
T J = 125 ° C
± 50 nA
1 μ A
15 μ A
? Space Savings
? High Power Density
Applications
R DS(on)
I D(on)
V GS = 0V, I D = 400mA, Note 1
V GS = 0V, V DS = 50V, Note 1
800
21
Ω
mA
?
?
?
Audio Amplifiers
Start-up Circuits
Protection Circuits
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
?
?
?
Ramp Generators
Current Regulators
Active Loads
DS100182A(12/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 14A-20-12 | XFRMR PWR 115/230V 6.3V 3.2A |
| ABLJO-V-122.880MHZ | OSC VCXO 122.880 MHZ 3.3V SMD |
| ABLJO-160.000MHZ | OSCILLATOR 160.000 MHZ 3.3V SMD |
| ABLJO-V-96.000MHZ | OSC VCXO 96.000 MHZ 3.3V SMD |
| ABLJO-V-150.000MHZ | OSC VCXO 150.000 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP08N100P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP08N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Polar™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTP08N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP100N04T2 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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