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参数资料
| 型号： | IXTP08N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTA08N100P
IXTP08N100P
IXTY08N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 0.8A
≤ 20 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
S
(TAB)
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
1000
1000
± 20
± 30
V
V
V
V
TO-220 (I XTP )
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
0.8
1.5
A
A
G
D S
(TAB)
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
0.8
80
10
42
A
mJ
V/ns
W
TO-252 (IXTY)
G
T J
T JM
T stg
T L
1.6mm (0.062) from Case for 10s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
T SOLD
Plastic Body for 10s
260
° C
M d
Weight
Mounting Torque
TO-263
TO-220
TO-252
(TO-220)
1.13 / 10
2.50
3.00
0.35
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
International Standard Packages
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
1000
V
Applications
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 50 μ A
V GS = ±20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125°C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
2.0
17
4.0
±50
3
100
20
V
nA
μ A
μ A
Ω
Switched-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99865C(04/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA1N100P | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 |
| M2018TJG01-GB | SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V |
| M2018TJG01-FA | SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V |
| M2T12TXG41-DC | SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V |
| 403C35E29M49120 | CRYSTAL 29.4912 MHZ 20PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP08N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Polar™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| IXTP100N04T2 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60P | 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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