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参数资料
| 型号： | IXTP08N50D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 欧姆 @ 400mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 312pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTY08N50D2 IXTA08N50D2
IXTP08N50D2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 5V
3V
2V
1V
0V
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
@ T J = 25oC
V GS = 5V
3V
2V
1V
2.0
0.3
0.2
0.1
0.0
-1V
-2V
1.5
1.0
0.5
0.0
0V
-1V
-2V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. Drain Current @ T J = 25oC
0.8
V GS = 5V
1E+00
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
2V
1V
0V
-1V
-2V
1E-01
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
V GS = - 2.50V
- 2.25V
- 3.00V
- 3.25V
- 3.50V
- 3.75V
- 4.00V
-3V
0.0
1E-06
0
1
2
3
4
5
6
0
100
200
300
400
500
600
1.E+00
V DS - Volts
Fig. 5. Drain Current @ T J = 100oC
1.E+08
V DS - Volts
Fig. 6. Dynamic Resistance vs. Gate Voltage
? V DS = 350V - 100V
1.E-01
V GS = -2.75V
-3.00V
1.E+07
1.E-02
1.E-03
-3.25V
-3.50V
-3.75V
1.E+06
1.E+05
T J = 100oC
T J = 25oC
-4.00V
1.E-04
1.E+04
0
100
200
300
400
500
600
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
-2.6
-2.4
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST-7-36 | XFRMR PWR 115V 18VAC 2.0A |
| ASG-D-V-B-500.000MHZ | VCXO 500.000 MHZ 2.5V LVDS SMD |
| LP-16-700 | XFRMR PWR 115/230V 8VAC 1.4A |
| ABLJO-V-120.000MHZ | OSC VCXO 120.000 MHZ 3.3V SMD |
| ASG-P-V-B-1.000GHZ | VCXO 1.000 GHZ 2.5V LVPECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP100N04T2 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60P | 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10N60PM | 功能描述:MOSFET 5.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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