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参数资料
| 型号： | IXTP10N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 740 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1610pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTA10N60P
IXTP10N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600V
= 10A
≤ 740m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-263 AA (IXTA)
G
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
S
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
600
600
± 30
± 40
10
V
V
V
V
A
TO-220AB (IXTP)
D (Tab)
I DM
I A
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
25
10
A
A
G
DS
D (Tab)
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
500
10
200
mJ
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Features
International Standard Packages
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 Seconds
Mounting Torque (TO-220)
TO-263
TO-220
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Dynamic dv/dt Rating
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
Low Q G
Low R DS(on)
Low Drain-to-Tab Capacitance
Low Package Inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600
V
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
5.5
V
Applications
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 100 nA
DC-DC Converters
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
5 μ A
50 μ A
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1, 2
740 m Ω
Uninterrupted Power Supplies
AC Motor Drives
High Speed Power Switching
Applications
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99330F(04/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445I32J30M00000 | CRYSTAL 30.000000 MHZ 9PF SMD |
| 445I32J27M00000 | CRYSTAL 27.000000 MHZ 9PF SMD |
| P2011N-DC | SWITCH ROCKER SPST 10A 125V |
| B32621A5224K | FILM CAP 0.2200UF 10% 160V |
| B32522C684K | FILM CAP 0.68UF 10% 63V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP10N60PM | 功能描述:MOSFET 5.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP10P50P | 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP110N055P | 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP110N055T | 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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