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参数资料
| 型号： | IXTP110N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.6 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3060pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA110N055T2
IXTP110N055T2
27
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
R G = 5 Ω
26
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
26
V GS = 10V
V DS = 30V
25
T J = 25oC
25
24
24
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 30V
23
22
I
D
= 25A
I
D
= 50A
23
21
22
T J = 125oC
20
21
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
29
27
27
65
28
t r
t d(on) - - - -
26
t f
t d(off) - - -
27
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
25
26
-
R G = 5 Ω , V GS = 10V
55
26
24
25
45
25
23
24
23
I D = 50A, 25A
22
21
24
I D = 25A, 50A
35
22
21
20
20
19
18
23
22
25
15
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
26.0
58
70
80
25.5
25.0
24.5
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 30V
54
50
46
65
60
55
50
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
75
70
65
60
45
55
24.0
23.5
T J = 125oC
42
38
40
35
I D = 25A
I
D
= 50A
50
45
23.0
22.5
22.0
T J = 25oC
34
30
26
30
25
20
15
40
35
30
25
25
30
35
40
45
50
5
6
7
8
9
10
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15
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP120N04T2 | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 |
| UPG2408TK-E2-A | IC SPDT 50MHZ-3GHZ 6-MINIMOLD |
| PM75B6LB060 | MOD IPM L-SERIES 600V 75A |
| PM75B5LB060 | MOD IPM L-SERIES 600V 75A |
| CP500 | PROBE CURRENT 500A DC/AC 2MHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP11P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| IXTP11P20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| IXTP120N04T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP120N075T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP120P065T | 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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