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参数资料
| 型号： | IXTP120N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA120N04T2
IXTP120N04T2
11
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
11
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
10
R G = 5 ?
10
R G = 5 ?
9
V GS = 10V
V DS = 20V
9
V GS = 10V
V DS = 20V
T J = 25oC
8
8
7
6
I
D
= 60A
7
5
6
4
3
I
D
= 120A
5
4
T J = 125oC
2
1
3
2
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
16
18
17
28
14
12
10
8
6
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 60A, 120A
17
16
15
14
13
16
15
14
13
12
11
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 60A
26
24
22
20
18
I D = 120A 16
10
14
4
2
0
12
11
10
9
8
7
12
10
8
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
24
28
90
90
22
20
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
26
24
80
70
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
80
70
60
60
18
22
50
50
16
14
12
T J = 125oC, 25oC
20
18
16
40
30
20
I D = 60A
40
30
20
10
14
10
I
D
= 120A
10
8
12
0
0
20
30
40
50
60
70
80
90
100
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPG2408TK-E2-A | IC SPDT 50MHZ-3GHZ 6-MINIMOLD |
| PM75B6LB060 | MOD IPM L-SERIES 600V 75A |
| PM75B5LB060 | MOD IPM L-SERIES 600V 75A |
| CP500 | PROBE CURRENT 500A DC/AC 2MHZ |
| CP150 | PROBE CURRENT 150 AMP DC/AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP120N075T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP120P065T | 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP12N50P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP12N50PM | 功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP130N065T2 | 功能描述:MOSFET 130 Amps 65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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