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参数资料
| 型号： | IXTP15N50L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 15A 500V TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 123nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Linear L2 TM
Power MOSFETs
w/ Extended FBSOA
IXTA15N50L2
IXTP15N50L2
IXTH15N50L2
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
500V
15A
480 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
TO-263 AA (IXTA)
Avalanche Rated
G
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
D (Tab)
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
500
500
± 20
± 30
V
V
V
V
TO-220AB (IXTP)
DS
I D25
I DM
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
15
35
15
750
300
A
A
A
mJ
W
G
TO-247 (IXTH)
D (Tab)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
D
S
D (Tab)
T L
T SOLD
M d
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)
300
260
1.13/10
° C
° C
Nm/lb.in.
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
Weight
TO-263
TO-220
TO-247
2.5
3.0
6.0
g
g
g
Features
Designed for Linear Operation
International Standard Packages
Avalanche Rated
Molding Epoxies Meet UL 94 V-0
Flammability Classification
Guaranteed FBSOA at 75°C
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
500
V
High Power Density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.5
4.5
V
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
Applications
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
25 μ A
200 μ A
Solid State Circuit Breakers
Soft Start Controls
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
480 m Ω
Linear Amplifiers
Programmable Loads
Current Regulators
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100054B(12/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 353S3S2 | CABLE R/A FEMALE-FEMALE 3POS 2M |
| 483P3P72 | CABLE STR MALE-R/A MALE 3POS 6' |
| OPB490N11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
| OPB490L11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
| 454P4P36 | CABLE R/A MALE-MALE 4POS 3' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP15P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP160N04T2 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP160N075T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id160 BVdass75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP160N10T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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