参数资料
型号: IXTP160N075T
厂商: IXYS
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 75V 160A TO-220
标准包装: 50
系列: TrenchMV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 160A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4950pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
IXTA160N075T
IXTP160N075T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
280
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
140
120
9V
8V
7V
240
200
9V
8V
7V
100
160
80
60
6V
120
6V
40
5V
80
20
0
40
0
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
1
2
3
4
5
6
160
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Junction Temperature
140
120
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.4
2.2
V GS = 10V
2.0
100
1.8
80
60
6V
5V
1.6
1.4
1.2
I D = 160A
I D = 80A
40
1.0
20
0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.6
2.4
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
120
External Lead Current Limit for TO-263 (7-Lead)
2.2
2
1.8
100
80
1.6
1.4
1.2
60
40
External Lead Current Limit for TO-3P, TO-220, & TO-263
1
0.8
0.6
T J = 25oC
20
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
PDF描述
B32652A6154K FILM CAP 0.15UF 10% 630V MKP
34BWDP21B4M2QT TOG MINI S DPDT O-N-O N PC LF
B32652A3524J FILM CAP 0.52UF 5% 250V MKP
B32522C6334K FILM CAP 0.3300UF 10% 400V
FVXO-LC53B-49.908 OSC 49.908 MHZ 3.3V LVDS SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTP160N085T 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP160N10T 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP16N50P 功能描述:MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP170N075T2 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP180N055T 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube