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参数资料
| 型号： | IXTP1R4N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 666pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 86W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTY1R4N120P IXTA1R4N120P
IXTP1R4N120P
2.8
Fig. 7. Transconductance
3.5
Fig. 8. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 600V
f = 1 MHz
8
I D = 0.7A
I G = 10mA
1,000
Ciss
7
6
5
100
Coss
4
3
10
2
1
0
1
Crss
0
4
8
12
16
20
24
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
0.1
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: IXT_1R4N120P (2C) 4-01-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5145.0031.811 | MOD INLET/CB/STD FILTER 15A PNL |
| 34BW3P12B4M1QT | TOG MINI S 3PDT O-N-O N SL LF |
| B32794D8505K | FILM CAP 5UF 10% 350VAC MKP |
| B32656J2104K | FILM CAP 0.100UF 10% 2000V |
| M2019SD3W01-BB | SW TOGGLE SPDT THR CAP SILV SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP1R4N60P | 功能描述:MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1R6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1R6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1R6N50P | 功能描述:MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP200N055T2 | 功能描述:MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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