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参数资料
| 型号： | IXTP1R6N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 800mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXTY1R6N100D2 IXTA1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
2.6
Fig. 7. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
2.6
Fig. 8. R DS(on) Normalized to I D = 0.8A Value
vs. Drain Current
V GS = 0V
2.4
V GS = 0V
2.2
1.8
1.4
I D = 0.8A
2.2
2.0
1.8
1.6
T J = 125oC
5V - - - -
1.4
1.0
0.6
0.2
1.2
1.0
0.8
0.6
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
2.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 9. Input Admittance
2.2
I D - Amperes
Fig. 10. Transconductance
2
V DS = 30V
2
1.8
V DS = 30V
T J = - 40oC
1.6
1.5
1.4
1.2
25oC
125oC
1
0.5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
1.3
1.2
1.1
1.0
V GS - Volts
Fig. 11. Breakdown and Threshold Voltages
vs. Junction Temperature
V GS(off) @ V DS = 25V
BV DSX @ V GS = - 5V
5
4
3
2
I D - Amperes
Fig. 12. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
V GS = -10V
T J = 125oC
0.9
0.8
1
0
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
T J - Degrees Centigrade
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V SD - Volts
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXTP1R6N50P | 功能描述:MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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