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参数资料
| 型号： | IXTP1R6N50D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 欧姆 @ 800mA，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXTY1R6N50D2 IXTA1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
10,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
f = 1 MHz
4
3
V DS = 250V
I D = 0.8A
I G = 10mA
1,000
100
Ciss
Coss
2
1
0
-1
-2
-3
10
Crss
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
10.0
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
10.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100μs
1.0
1ms
1.0
1ms
10ms
T J = 150oC
100ms
T J = 150oC
10ms
T C = 75oC
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
DC
Single Pulse
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
0.1
DC
100ms
10.00 10
100
1,000
10
100
1,000
2.00
1.00
0.10
0.01
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Resistance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_1R6N50D2(2C)8-14-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MICRF008YM | IC RECEIVER 300-440MHZ 8-SOIC |
| IXTP1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
| UPG2151T5K-A | IC SWITCH SPDT 6-TSSON |
| NP82N04MLG-S18-AY | MOSFET N-CH TO-220 |
| UPG2159T5K-E2-A | IC SWITCH SPDT 6-TSON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP1R6N50P | 功能描述:MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP200N055T2 | 功能描述:MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP200N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id200 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP-200N085T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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