- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21768 > IXTP2N60P (IXYS)MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP2N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.1 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP IXTY2N60P
IXTY IXTP2N60P
3.6
3.2
Fig. 7. Input Adm ittance
4
3.6
Fig. 8. Transconductance
2.8
2.4
3.2
2.8
2.4
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
2
2
1.6
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T J =125 o C
25 o C
-40 o C
1.2
0.8
0.4
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
7
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
6
5
4
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 1A
I G = 10mA
3
2
1
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
1
2
3
4
5
6
7
1000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
10.0
Q G - nanoCoulombs
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al
Resistance
100
10
C iss
C oss
C rss
1.0
1
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
1
10
100
1000
V D S - Volts
Pulse Width - milliseconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: IXT_2N60P(1J)6-14-05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC736-76.8 | OSC 76.8 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ZCAT2035-0930A | FILTER CABLE/CLAMP 80 OHM 6-9MM |
| ZCAT1518-0730 | FILTER CABLE/CLAMP 35 OHM 7MM |
| FXO-HC736-77.996 | OSC 77.996 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ZCAT1325-0530A | FILTER CABLE/CLAMP 50 OHM 3-5MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP2N80 | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP2N80P | 功能描述:MOSFET 2 Amps 800V 6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP2N95 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IXTP2N95A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IXTP2P45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。