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参数资料
| 型号： | IXTP2R4N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1207pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTA2R4N120P
IXTH2R4N120P
IXTP2R4N120P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1200V
= 2.4A
≤ 7.5 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
G
S
(TAB)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
1200
1200
V
V
TO-220 (I XTP )
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D S
(TAB)
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
2.4
6
2.4
200
10
A
A
A
mJ
V/ns
TO-247 (IXTH)
S
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062) from case for 10s
Plastic body for 10s
125
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
G = Gate
S = Source
Features
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque
TO-263
TO-220
TO-247
(TO-220, TO-247)
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
Nm/lb.in.
g
g
g
International standard packages
Unclamped Inductive Switching
(UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
1200
V
High power density
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
2.5
4.5
± 50
V
nA
Applications:
High Voltage Switched-mode and
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
5 μ A
300 μ A
resonant-mode power supplies
High Voltage Pulse Power Applications
High Voltage Discharge circuits in
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
6.5
7.5
Ω
Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF
Generators
High Voltage DC-DC converters
High Voltage DC-AC inverters
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99873A (04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32776G4356K | FILM CAP 35UF 10% 450V MKP |
| 4304.5021 | APPLIANCE INLET FLTR 1A |
| CM309S-15.360MABJTR | CRYSTAL 15.3600 MHZ 18PF SMD |
| B123J60ZQ2 | SWITCH ROCKER SPDT 6A 125V |
| CM309S15.000MABJTR | CRYSTAL 15.0000 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP2R4N50P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP300N04T2 | 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP30N08MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N08MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N10MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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