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参数资料
| 型号： | IXTP32N20T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 32A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 72 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXTA32N20T
IXTP32N20T
20
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Junction Temperature
R G = 10 ?
20
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Drain Current
18
V GS = 15V
V DS = 100V
18
T J = 25oC
16
16A < I
D
< 32A
16
R G = 10 ?
V GS = 15V
14
12
10
8
14
12
10
8
V DS = 100V
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
16
18
20
22
24
26
28
30
32
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times vs.
Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Junction Temperature
45
22
36
64
40
t r
t d(on) - - - -
21
34
t f
t d(off) - - - -
62
35
30
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 100V
I D = 32A
20
19
32
30
R G = 10 ? , V GS = 15V
V DS = 100V
60
58
28
56
25
18
20
15
10
5
0
I D = 16A
17
16
15
14
13
26
24
22
20
18
16
I D = 32A
I D = 16A
54
52
50
48
46
44
10
14
18
22
26
30
34
38
42
46
50
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Gate Resistance
38
58
100
210
34
30
t f t d(off) - - - -
R G = 10 ? , V GS = 15V
V DS = 100V
56
54
90
80
70
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 100V
I D = 16A
190
170
150
26
T J = 25oC
52
60
50
I
D
= 32A
130
110
40
90
22
18
T J = 125oC
50
48
30
20
70
50
10
30
14
46
0
10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
10
14
18
22
26
30
34
38
42
46
50
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTP32P05T | 功能描述:MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP32P20T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP36N30P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP36N30T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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