- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18776 > IXTP3N50D2 (IXYS)MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP3N50D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 1.5A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1070pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
10,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
f = 1 MHz
4
V DS = 250V
I D = 1.5A
1,000
Ciss
3
2
I G = 10mA
1
0
100
Coss
-1
-2
-3
10
Crss
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100.0
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
100.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
10.0
25μs
100μs
10.0
25μs
100μs
1.0
1ms
1.0
1ms
10.00
0.1
10
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
100
10ms
100ms
DC
Fig. 17. Maximum Transient
0.1
1,000
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
Thermal Impedance
10
100
DC
10ms
100ms
1,000
2.00
1.00
0.10
0.01
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_3N50D2(3C)8-17-09-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP3N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB |
| RXM-315-LC-S | RECEIVER RF 315MHZ SMT |
| 3604 | AUTO TEST KIT PVC WIRE |
| CME8000-TLPH | IC RECEIVER RC BICMOS 28-SSOP |
| AM1106K | SWITCH BASIC 15A PLUNG FLAT SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP3N80 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
| IXTP3N80A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
| IXTP3N90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。