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参数资料
| 型号： | IXTP50N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Trench Gate
Power MOSFET
IXTA50N25T IXTH50N25T
IXTP50N25T IXTQ50N25T
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
250V
50A
50m Ω
N-Channel Enhancement Mode
TO-263 (I XTA )
TO-247 (I XTH )
TO-220 (I XTP )
G
S
(TAB)
G
D
S
(TAB)
G
DS
(TAB)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
250
250
± 30
V
V
V
TO-3P (IXTQ)
I D25
I DM
I AS
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
130
5
1.5
400
A
A
A
J
W
G
G = Gate
D
S
D = Drain
(TAB)
T J
T JM
T stg
T L
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
S = Source TAB = Drain
Features
International standard packages
M d
F C
Mounting Torque TO-220,TO-3P,TO247 1.13 / 10
Mounting Force TO-263 10..65 / 2.2..14.6
Nmlb.in.
N/lb.
Avalanche rated
Low package inductance
Weight
TO-263
TO-220
TO-3P
TO-247
2.5
3.0
5.5
6.0
g
g
g
g
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ . Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 1mA
250
3
5
V
V
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
power supplies
DC choppers
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
1 μ A
150 μ A
AC motor control
Uninterruptible power supplies
High speed power switching
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
50 m Ω
applications
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99346A(10/07)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 241-5-36 | XFRMR PWR 115V 36VCT .35A |
| CMD-HHLR-433 | XMITTER HANDHELD 433MHZ 8 BUTTON |
| CMD-HHLR-418 | XMITTER HANDHELD 418MHZ 8 BUTTON |
| 241-5-28 | XFRMR PWR 115V 28VCT .42A |
| CMD-HHLR-315 | XMITTER HANDHELD 315MHZ 8 BUTTON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP55N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP5N50P | 功能描述:MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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