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参数资料
| 型号： | IXTP64N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1420pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP64N055T
IXTY64N055T
65
Fig. 13. Resistiv e Turn-on
Rise Time v s. Junction Temperature
65
Fig. 14. Resistiv e Turn-on
Rise Time v s. Drain Current
60
55
50
45
40
R G = 18 Ω
V GS = 10V
V DS = 27.5V
60
55
50
45
40
R G = 18 Ω
V GS = 10V
V DS = 27.5V
T J = 25oC
I D = 30A
35
35
30
I D = 10A
30
25
20
25
20
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times v s. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Junction Temperature
90
t r
t d(on) - - - -
30
42
54
80
70
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
28
26
40
38
50
46
60
I D = 30A
24
36
I D = 10A
42
50
I D = 10A
22
34
38
32
34
40
20
30
I D = 30A
t f
t d(off) - - - -
30
30
18
28
R G = 18 Ω , V GS = 10V
26
V DS = 27.5V
20
16
26
22
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
40
58
120
130
38
36
34
t f t d(off) - - - -
R G = 18 Ω , V GS = 10V
V DS = 27.5V
54
50
46
110
100
90
80
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 10A
120
110
100
90
T J = 125oC
70
80
32
42
60
70
I D = 30A
30
28
38
34
50
40
30
60
50
40
26
T J = 25oC
30
20
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_64N055T (1V) 7-14-06.xls
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