- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18331 > IXTP90N055T (IXYS)MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP90N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.8 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA90N055T
IXTP90N055T
36
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
38
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
34
32
R G = 10 ?
V GS = 10V
V DS = 27.5V
36
34
R G = 10 ?
V GS = 10V
V DS = 27.5V
T J = 25oC
30
32
30
28
28
26
24
I D = 30A
26
24
22
20
18
I D = 10A
22
20
18
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
90
34
42
68
80
70
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 30A
32
30
40
38
36
t f t d(off) - - - -
R G = 10 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 10A
65
62
59
60
50
40
I D = 10A
28
26
24
34
32
30
28
56
53
50
47
30
22
26
I D = 30A
44
24
41
20
10
20
18
22
20
38
35
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
38
70
110
180
36
34
T J = 125oC
66
62
100
90
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
160
140
32
58
30
54
80
120
28
t f
t d(off) - - - -
50
70
100
26
R G = 10 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
46
60
I D = 10A
80
24
42
50
60
22
20
18
T J = 25oC
38
34
30
40
30
I D = 30A
40
20
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_90N055T (2V) 7-06-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32653A3684K189 | FILM CAP 0.68UF 10% 250V MKP |
| 407F35D008M0000 | CRYSTAL 8.0 MHZ 18PF SMD |
| IXTP76N075T | MOSFET N-CH 75V 76A TO-220 |
| M2018TZG13 | SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V |
| 407F35D011M0592 | CRYSTAL 11.0592 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP90N055T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP98N075T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 75V 9.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。