- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录464 > IXTQ14N60P (IXYS)MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTQ14N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM Power
MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTA14N60P
IXTP14N60P
IXTQ14N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
TO-263
=
=
≤
600V
14A
550m Ω
G
S
(TAB)
TO-220
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
600
600
V
V
V GSS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 30
± 40
14
V
V
A
G
TO-3P
D S
(TAB)
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
42
14
900
A
A
mJ
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
S
G = Gate
S = Source
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque
TO-263
TO-220
TO-3P
(TO-220)(TO-3P)
1.13/10
2.5
3.0
5.5
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
International standard packages
Avalanche rated
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
Applications
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 125 ° C
3.0
450
5.5 V
± 100 nA
5 μ A
100 μ A
550 m Ω
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor drives
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99329F(12/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ150N06P | MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P |
| IXTQ160N085T | MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P |
| IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P |
| IXTQ16N50P | MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P |
| IXTQ180N085T | MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ150N06P | 功能描述:MOSFET 150 Amps 60V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ150N15P | 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ152N085T | 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ160N075T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。