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参数资料
| 型号： | IXTQ150N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTK 150N15P
IXTQ 150N15P
150
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
330
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
120
V GS = 10V
9V
8V
300
270
V GS = 10V
9V
90
7V
240
210
60
6V
180
150
120
90
8V
7V
30
0
5V
60
30
0
6V
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1 1.2
V D S - Volts
1.4
1.6
1.8
2
0
1
2
3
4 5 6
V D S - Volts
7
8
9
10
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
150
120
V GS = 10V
9V
8V
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
2.2
90
7V
2
1.8
I D = 150A
1.6
60
6V
1.4
I D = 75A
1.2
30
0
5V
1
0.8
0.6
0
1
2 3
V D S - Volts
4
5
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
3.4
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
90
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 15V
T J = 175 o C
V GS = 10V
T J = 25 o C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
External Lead Current Limit
0
50
100
150 200
I D - Amperes
250
300
350
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P |
| IXTQ100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P |
| KN3270030 | OSCILLATOR 32.768KHZ 3.3V |
| AS11CP | SW SLIDE SPST .150" STRAIGHT PCB |
| 20VT1 | FILTER POWER LINE RFI .250 20A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ152N085T | 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ160N075T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ160N10T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ16N50P | 功能描述:MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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