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参数资料
| 型号： | IXTQ160N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 164nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 160N085T
IXTP 160N085T
IXTQ 160N085T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 ° C
320
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 ° C
140
V GS = 10V
9V
280
V GS = 10V
9V
7V
120
8V
7V
6V
240
8V
6V
100
80
5V
200
160
60
40
120
80
5V
20
0
4V
40
0
4V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
160
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 ° C
2.4
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to I D = 50A
Value vs. Junction Tem perature
140
V GS = 10V
9V
2.2
V GS = 10V
120
100
8V
7V
6V
5V
2
1.8
1.6
I D = 100A
80
1.4
I D = 50A
60
40
20
0
4V
3V
1.2
1
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.6
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D = 50A
Value vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.4
2.2
2
1.8
V GS = 10V
T J = 175 ° C
80
70
60
50
External Lead Current Limit
1.6
15V
----
40
-
1.4
30
1.2
1
0.8
T J = 25 ° C
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2005 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P |
| IXTQ16N50P | MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P |
| IXTQ180N085T | MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P |
| IXTQ200N06P | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P |
| IXTQ200N075T | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ160N10T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ16N50P | 功能描述:MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ180N085T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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