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参数资料
| 型号： | IXTQ182N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 182A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTH182N055T
IXTQ182N055T
36
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
38
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
34
R G = 5 ?
V GS = 10V
36
32
30
28
V DS = 30V
I D = 50A
34
32
30
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 30V
T J = 25oC
28
26
I D = 25A
26
24
22
24
22
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
160
t r
t d(on) - - - -
58
50
t f
t d(off) - - - -
74
140
T J = 125oC, V GS = 10V
I D = 50A
54
48
R G = 5 ? , V GS = 10V
71
120
100
V DS = 30V
I D = 25A
50
46
46
44
V DS = 30V
I D = 25A
68
65
42
62
80
42
40
59
60
40
20
38
34
30
38
36
34
I D = 50A
56
53
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
48
t f
t d(off) - - - -
74
180
t f
t d(off) - - - -
200
46
44
T J = 125oC
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 30V
70
66
160
140
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
I D = 25A
175
150
42
62
120
125
40
38
58
54
100
80
I D = 50A
100
75
36
34
T J = 25oC
50
46
60
40
50
25
24
28
32
36
40
44
48
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
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R G - Ohms
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PDF描述 |
|---|---|
| MLW3028-00-PA-1A | SWITCH ROCKER DPDT 5A 125V |
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参数描述 |
|---|---|
| IXTQ18N60P | 功能描述:MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N06P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 60V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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