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参数资料
| 型号： | IXTQ18N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 18N60P
IXTV 18N60P IXTV 18N60PS
30
Fig. 7. Input Adm ittance
27
Fig. 8. Transconductance
27
24
21
18
15
24
21
18
15
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
12
9
6
3
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
12
9
6
3
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
60
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 300V
50
8
7
I D = 9A
I G = 10mA
40
6
30
20
T J = 125 o C
5
4
3
10
0
T J = 25 o C
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
f = 1MHz
C iss
R DS(on) Limit
1000
25μs
100
C oss
10
100μs
1ms
C rss
T J = 150oC
DC
10ms
T C = 25oC
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 35635 | TOOL VACUUM HANDLING 3.25" MENDA |
| PS3 | SW ROTARY SP 30A NONSHORT 3DECK |
| CS325S-18.9375MABJ-UT | CRYSTAL 18.9375MHZ 18PF SMD |
| HCM49-15.000MABJT | CRYSTAL 15.000 MHZ 18PF SMD |
| AML24EBA2DC02 | SWITCH ROCKER 4PDT 0.1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ200N06P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 60V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ220N055T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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