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参数资料
| 型号： | IXTQ230N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 187nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTH230N085T
IXTQ230N085T
52
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
52
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
50
R G = 3.3 ?
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
I D = 25A
I D = 50A
V GS = 10V
V DS = 42.5V
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 42.5V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
220
85
50
90
200
180
160
140
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 42.5V
80
75
70
65
48
46
44
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 42.5V
I D = 25A
85
80
75
120
I D = 50A
60
100
55
42
70
80
I D = 25A
50
40
65
60
45
38
I D = 50A
60
40
40
20
0
35
30
36
34
55
50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
41.5
110
240
350
t f
t d(off) - - - -
220
t f
t d(off) - - - -
325
41
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
100
200
T J = 125oC, V GS = 10V
300
40.5
40
V DS = 42.5V
T J = 125oC
90
80
180
160
140
120
V DS = 42.5V
I D = 25A
I D = 50A
275
250
225
200
39.5
39
70
60
100
80
60
175
150
125
38.5
T J = 25oC
50
40
100
20
75
38
40
0
50
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_230N085T (6V) 8-18-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ24N55Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 550V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ26N50P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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